芯辰半导体成功投产新型外延设备

芯辰半导体（苏州）有限公司近期成功投产了新的外延设备，覆盖了砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）光芯片四元化合物全材料体系。该公司已经实现了波长范围760nm至1700nm的外延片量产，并且外延均匀性达到了激射中心波长外2nm以内。典型的激光芯片外延片，例如808、850、905、940、1064、1550、1654nm，已经在自己的产线上进行了VCSEL或DFB芯片验证。