Texas Instruments lëshon një familje të re të nitrideve të galiumit me fuqi të ulët

Texas Instruments (TI) lëshoi ​​sot një seri të re të produkteve të nitridit të galiumit me fuqi të ulët (GaN), që synon të ndihmojë në zvogëlimin e madhësisë së përshtatësve të energjisë të automobilave përgjysmë dhe rritjen e efikasitetit të sistemit në më shumë se 95%. Gama e plotë e produkteve të reja të transistorit me efekt në terren GaN (FET) integron drejtuesit e portës, duke zgjidhur çështjet e dizajnit termik dhe duke lejuar përshtatësin të sigurojë fuqi më të lartë në një madhësi më të vogël. Kjo seri produktesh është e përshtatshme për industri të ndryshme të lidhura me automobilat, si adaptorët e telefonave celularë dhe laptopët, njësitë e furnizimit me energji TV dhe prizat USB në mur.