Texas Instruments ເປີດຕົວຄອບຄົວ gallium nitride ພະລັງງານຕ່ໍາໃຫມ່

Texas Instruments (TI) ໃນມື້ນີ້ໄດ້ປ່ອຍຊຸດໃຫມ່ຂອງຜະລິດຕະພັນ Galium nitride (GaN) ພະລັງງານຕ່ໍາ, ມີຈຸດປະສົງເພື່ອຊ່ວຍຫຼຸດຜ່ອນຂະຫນາດຂອງຕົວແປງໄຟໃນລົດຍົນລົງເຄິ່ງຫນຶ່ງແລະເພີ່ມປະສິດທິພາບຂອງລະບົບໃຫ້ຫຼາຍກວ່າ 95%. ຜະລິດຕະພັນ transistor ທີ່ມີຜົນບັງຄັບໃຊ້ພາກສະຫນາມ (FET) ຂອງ GaN ເຕັມຮູບແບບປະສົມປະສານກັບໄດເວີປະຕູ, ແກ້ໄຂບັນຫາການອອກແບບຄວາມຮ້ອນແລະອະນຸຍາດໃຫ້ອະແດບເຕີໃຫ້ພະລັງງານທີ່ສູງຂຶ້ນໃນຂະຫນາດຂະຫນາດນ້ອຍກວ່າ. ຜະລິດຕະພັນຊຸດນີ້ແມ່ນເຫມາະສົມສໍາລັບອຸດສາຫະກໍາທີ່ກ່ຽວຂ້ອງກັບລົດຍົນຕ່າງໆເຊັ່ນ: ໂທລະສັບມືຖືແລະແລັບທັອບອະແດບເຕີ, ຫນ່ວຍສະຫນອງພະລັງງານໂທລະພາບແລະເຕົ້າສຽບ USB.