Texas Instruments meluncurkan keluarga galium nitrida berdaya rendah yang baru

Texas Instruments (TI) hari ini merilis seri baru produk galium nitrida (GaN) berdaya rendah, yang bertujuan untuk membantu mengurangi ukuran adaptor daya otomotif hingga setengahnya dan meningkatkan efisiensi sistem hingga lebih dari 95%. Rangkaian lengkap produk transistor efek medan (FET) GaN baru mengintegrasikan driver gerbang, memecahkan masalah desain termal dan memungkinkan adaptor menyediakan daya lebih tinggi dalam ukuran lebih kecil. Rangkaian produk ini cocok untuk berbagai industri terkait otomotif seperti adaptor ponsel dan laptop, unit catu daya TV, dan soket dinding USB.