Цинжоугийн GaN-on-цахиурын цахилгаан төхөөрөмж үйлдвэрлэх төслийн үндсэн үйлдвэрийн барилгын ажил хаагдсан.

Чинжөү хот болон Бээжин Сай микроэлектроникийн хамтран барьсан цахиурт суурилсан галлиум нитридын цахилгаан төхөөрөмж хагас дамжуулагч үйлдвэрлэх төслийн үндсэн үйлдвэрийн барилга дээд цэгтээ хүрч, төсөлд чухал ахиц дэвшил гарлаа. Төсөлд нийт 1 тэрбум юанийн хөрөнгө оруулалт хийгдсэн бөгөөд жилийн 60 мянган ширхэгийг үйлдвэрлэх хүчин чадалтай, эхний шатанд 30 мянган ширхэгийг үйлдвэрлэхээр төлөвлөж байна. Энэхүү төсөл нь гурав дахь үеийн хагас дамжуулагч галлийн нитридын технологийн түвшинг дээшлүүлж, Вэйфан хотод өндөр зэрэглэлийн үйлдвэрлэлийн өндөрлөг байгуулахад туслах зорилготой юм.