Das Hauptfabrikgebäude des Projekts zur Herstellung von GaN-auf-Silizium-Leistungsgeräten in Qingzhou wurde abgedeckt

Das Hauptfabrikgebäude des gemeinsam von der Stadt Qingzhou und Beijing Sai Microelectronics errichteten Projekts zur Herstellung von Leistungshalbleitern auf Siliziumbasis mit Galliumnitrid hat seine Kapazitätsgrenze erreicht, was einen wichtigen Fortschritt im Projekt darstellt. Das Projekt hat eine Gesamtinvestition von 1 Milliarde Yuan und wird voraussichtlich über eine jährliche Produktionskapazität von 60.000 Stück verfügen, davon 30.000 Stück in der ersten Phase. Das Projekt zielt darauf ab, das Technologieniveau des Halbleiters Galliumnitrid der dritten Generation zu verbessern und Weifang beim Aufbau eines High-End-Fertigungshochlandes zu unterstützen.