Le bâtiment principal de l'usine du projet de fabrication de dispositifs électriques GaN-on-Si de Qingzhou a été plafonné

Le bâtiment principal de l'usine du projet de fabrication de semi-conducteurs pour dispositifs électriques en nitrure de gallium à base de silicium, construit conjointement par la ville de Qingzhou et Beijing Sai Microelectronics, a atteint son plafond, marquant une avancée importante dans le projet. Le projet représente un investissement total de 1 milliard de yuans et devrait à terme avoir une capacité de production annuelle de 60 000 pièces, dont 30 000 pièces dans la première phase. Le projet vise à améliorer le niveau technologique du nitrure de gallium semi-conducteur de troisième génération et à aider Weifang à construire un plateau de fabrication haut de gamme.