O edifício principal da fábrica do projeto de fabricação de dispositivos de energia GaN-on-Si de Qingzhou foi limitado

O edifício principal da fábrica do projeto de fabricação de semicondutores de dispositivos de energia de nitreto de gálio à base de silício, construído em conjunto pela cidade de Qingzhou e pela Beijing Sai Microelectronics, atingiu seu teto, marcando um progresso importante no projeto. O projeto tem um investimento total de 1 bilhão de yuans e deverá eventualmente ter uma capacidade de produção anual de 60 mil peças, sendo 30 mil peças na primeira fase. O projeto visa melhorar o nível tecnológico do nitreto de gálio semicondutor de terceira geração e ajudar Weifang a construir uma região montanhosa de produção de alta qualidade.