Qingzhoun GaN-on-Si-voimalaitteiden valmistusprojektin päätehdasrakennus on rajattu

Qingzhou Cityn ja Beijing Sai Microelectronicsin yhdessä rakentaman piipohjaisen galliumnitridivoimalaitteen puolijohdevalmistusprojektin päätehdasrakennus on saavuttanut kattonsa, mikä merkitsee merkittävää edistystä projektissa. Projektin kokonaisinvestointi on miljardi yuania, ja sen odotetaan lopulta saavuttavan 60 000 kappaleen vuotuisen tuotantokapasiteetin, ja ensimmäisessä vaiheessa 30 000 kappaletta. Projektin tavoitteena on parantaa kolmannen sukupolven puolijohteen galliumnitridin teknologian tasoa ja auttaa Weifangia rakentamaan huippuluokan valmistusylängön.