Hovedfabriksbygningen i Qingzhou GaN-on-silicium power device fremstillingsprojekt er blevet lukket

Hovedfabriksbygningen for det siliciumbaserede halvlederproduktionsprojekt af galliumnitrid-energienheder, som er bygget i fællesskab af Qingzhou City og Beijing Sai Microelectronics, har nået sit loft, hvilket markerer vigtige fremskridt i projektet. Projektet har en samlet investering på 1 milliard yuan og forventes på sigt at have en årlig produktionskapacitet på 60.000 styk, med 30.000 styk i første fase. Projektet har til formål at forbedre teknologiniveauet for tredje generations halvleder-galliumnitrid og hjælpe Weifang med at bygge et high-end produktionshøjland.