Aðalverksmiðjubygging Qingzhou GaN-á-kísilorkuframleiðsluverkefnisins hefur verið sett hámarki

Aðalverksmiðjubygging kísil-undirstaða gallíumnítríð raforkubúnaðar hálfleiðara framleiðslu verkefnisins sem er smíðað í sameiningu af Qingzhou City og Beijing Sai Microelectronics hefur náð þaki sínu, sem markar mikilvægar framfarir í verkefninu. Verkefnið hefur samtals fjárfestingu upp á 1 milljarð júana og er gert ráð fyrir að að lokum verði árleg framleiðslugeta upp á 60.000 stykki, með 30.000 stykki í fyrsta áfanga. Verkefnið miðar að því að bæta tæknistig þriðju kynslóðar hálfleiðara gallíumnítríðs og hjálpa Weifang að byggja upp hálendisframleiðsluhálendi.