D'Haaptfabrécksgebai vum Qingzhou GaN-on-Silicon Power Apparat Fabrikatiounsprojet ass ofgeschloss ginn

D'Haaptfabrécksgebai vum Siliziumbaséierte Galliumnitrid Kraaftapparat Hallefleitprojet Fabrikatiounsprojet zesumme gebaut vun Qingzhou City a Peking Sai Microelectronics huet seng Plafong erreecht, wat wichteg Fortschrëtter am Projet markéiert. De Projet huet eng Gesamtinvestitioun vun 1 Milliard Yuan a gëtt erwaart schliisslech eng jährlech Produktiounskapazitéit vu 60.000 Stécker ze hunn, mat 30.000 Stécker an der éischter Phas. De Projet zielt fir den Technologieniveau vun Drëtt-Generatioun Hallefleit Galliumnitrid ze verbesseren an Weifang ze hëllefen en High-End-Fabrikatiouns-Highland ze bauen.