Главна фабричка зграда пројекта производње уређаја за напајање Кингзхоу ГаН-он-силицијум је затворена

Главна фабричка зграда пројекта производње полупроводника за напајање на бази галијум нитрида који су заједнички конструисали Кингзхоу Цити и Беијинг Саи Мицроелецтроницс достигла је свој плафон, означавајући важан напредак у пројекту. Пројекат има укупну инвестицију од милијарду јуана и очекује се да ће на крају имати годишњи производни капацитет од 60.000 комада, са 30.000 комада у првој фази. Пројекат има за циљ да побољша технолошки ниво треће генерације полупроводничког галијум нитрида и помогне Веифангу да изгради висококвалитетно производно горје.