A Qingzhou GaN-on-szilícium erőmű-gyártási projekt fő gyárépületét lezárták

A Qingzhou City és a Beijing Sai Microelectronics által közösen épített szilícium-alapú gallium-nitrid erőmű-félvezető-gyártási projekt fő gyárépülete elérte a felső határt, ami fontos előrelépést jelent a projektben. A projekt összberuházása 1 milliárd jüan, és várhatóan 60 000 darab éves gyártási kapacitás lesz, az első fázisban 30 000 darabot. A projekt célja, hogy javítsa a harmadik generációs félvezető gallium-nitrid technológiai szintjét, és segítse Weifangot egy csúcskategóriás gyártási csúcs felépítésében.