Будівля головного заводу Qingzhou GaN-on-Si з виробництва силових пристроїв закрита

Основна будівля заводу з виробництва напівпровідників силових пристроїв на основі нітриду галію, спільно побудованого Qingzhou City та Beijing Sai Microelectronics, досягла своєї межі, що свідчить про важливий прогрес у проекті. Загальний обсяг інвестицій у проект становить 1 мільярд юанів, і очікується, що річна виробнича потужність становитиме 60 000 одиниць, з 30 000 одиниць на першому етапі. Проект має на меті підвищити технологічний рівень напівпровідникового нітриду галію третього покоління та допомогти Вейфану побудувати висококласний виробничий центр.