Qingzhou GaN-on-Si လျှပ်စစ်ဓာတ်အားပေးစက်ထုတ်လုပ်ရေးပရောဂျက်၏ ပင်မစက်ရုံတည်ဆောက်မှုကို ရပ်တန့်ထားသည်။

Qingzhou City နှင့် Beijing Sai Microelectronics တို့ ပူးပေါင်းဆောက်လုပ်သော ဆီလီကွန်အခြေခံ ဂယ်လီယမ်နိုက်ထရိတ်ပါဝါသုံး ဓါတ်အားပေးစက်တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်ရေးပရောဂျက်၏ ပင်မစက်ရုံတည်ဆောက်မှုသည် ပရောဂျက်အတွက် အရေးကြီးသောတိုးတက်မှုကို မှတ်သားထားသည်။ ပရောဂျက်တွင် စုစုပေါင်း ရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှု ယွမ် ၁ ဘီလီယံ ရှိပြီး ပထမအဆင့်တွင် အပိုင်း ၃၀၀၀၀ ဖြင့် နှစ်စဉ် ထုတ်လုပ်မှု ပမာဏ ၆၀၀၀၀ ရှိလာရန် မျှော်လင့်ထားသည်။ ပရောဂျက်သည် တတိယမျိုးဆက် semiconductor gallium nitride ၏ နည်းပညာအဆင့်ကို မြှင့်တင်ရန်နှင့် Weifang ၏ တန်ဖိုးကြီး ကုန်ထုတ်လုပ်မှု ကုန်းမြင့်ကို တည်ဆောက်ရန် ရည်ရွယ်ပါသည်။