क्विंगझोउ GaN-ऑन-सिलिकॉन पावर डिवाइस निर्माण परियोजना की मुख्य फैक्ट्री की इमारत को बंद कर दिया गया है

किंगझोउ सिटी और बीजिंग साई माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स द्वारा संयुक्त रूप से निर्मित सिलिकॉन-आधारित गैलियम नाइट्राइड पावर डिवाइस सेमीकंडक्टर विनिर्माण परियोजना का मुख्य कारखाना भवन अपनी छत तक पहुंच गया है, जो परियोजना में महत्वपूर्ण प्रगति को दर्शाता है। इस परियोजना में कुल 1 बिलियन युआन का निवेश है और अंततः 60,000 टुकड़ों की वार्षिक उत्पादन क्षमता होने की उम्मीद है, जिसमें पहले चरण में 30,000 टुकड़े होंगे। परियोजना का लक्ष्य तीसरी पीढ़ी के सेमीकंडक्टर गैलियम नाइट्राइड के प्रौद्योगिकी स्तर में सुधार करना और वेफ़ांग को एक उच्च-स्तरीय विनिर्माण हाइलैंड बनाने में मदद करना है।