Bangunan pabrik utama proyek pembuatan perangkat listrik GaN-on-silikon Qingzhou telah ditutup

Bangunan pabrik utama proyek manufaktur semikonduktor perangkat listrik galium nitrida berbasis silikon yang dibangun bersama oleh Kota Qingzhou dan Beijing Sai Microelectronics telah mencapai puncaknya, menandai kemajuan penting dalam proyek tersebut. Proyek ini memiliki total investasi sebesar 1 miliar yuan dan diharapkan memiliki kapasitas produksi tahunan sebesar 60.000 buah, dengan 30.000 buah pada tahap pertama. Proyek ini bertujuan untuk meningkatkan tingkat teknologi semikonduktor galium nitrida generasi ketiga dan membantu Weifang membangun dataran tinggi manufaktur kelas atas.