Bangunan kilang utama projek pembuatan peranti kuasa Qingzhou GaN-on-Si telah dihadkan

Bangunan kilang utama projek pembuatan semikonduktor peranti kuasa galium nitrida berasaskan silikon yang dibina bersama oleh Qingzhou City dan Beijing Sai Microelectronics telah mencapai silingnya, menandakan kemajuan penting dalam projek itu. Projek itu mempunyai jumlah pelaburan sebanyak 1 bilion yuan dan dijangka akhirnya mempunyai kapasiti pengeluaran tahunan sebanyak 60,000 keping, dengan 30,000 keping dalam fasa pertama. Projek ini bertujuan untuk meningkatkan tahap teknologi semikonduktor gallium nitrida generasi ketiga dan membantu Weifang membina tanah tinggi pembuatan mewah.