কিংঝো গ্যান-অন-সিলিকন পাওয়ার ডিভাইস উত্পাদন প্রকল্পের মূল কারখানার বিল্ডিংটি সীমাবদ্ধ করা হয়েছে

কিংঝো সিটি এবং বেইজিং সাই মাইক্রোইলেক্ট্রনিক্স দ্বারা যৌথভাবে নির্মিত সিলিকন-ভিত্তিক গ্যালিয়াম নাইট্রাইড পাওয়ার ডিভাইস সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদন প্রকল্পের মূল কারখানা বিল্ডিংটি তার সিলিংয়ে পৌঁছেছে, প্রকল্পের গুরুত্বপূর্ণ অগ্রগতি চিহ্নিত করে। প্রকল্পটির মোট বিনিয়োগ রয়েছে 1 বিলিয়ন ইউয়ান এবং শেষ পর্যন্ত বার্ষিক উৎপাদন ক্ষমতা 60,000 পিস হবে, প্রথম পর্যায়ে 30,000 পিস থাকবে। প্রকল্পটির লক্ষ্য তৃতীয়-প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর গ্যালিয়াম নাইট্রাইডের প্রযুক্তির স্তর উন্নত করা এবং ওয়েইফাংকে একটি উচ্চ-সম্পদ উত্পাদন উচ্চভূমি তৈরিতে সহায়তা করা।