Oñemboty edificio principal fábrica proyecto de fabricación dispositivo de potencia GaN-en-silicio Qingzhou-pe

Edificio principal fábrica proyecto de fabricación semiconductor dispositivo de potencia nitruro de galio basado en silicio omopu'ãva oñondive tavaguasu Qingzhou ha Beijing Sai Microelectronics oguahë techo, omarkáva progreso importante proyecto-pe. Ko proyecto oreko inversión total 1.000 millones de yuanes ha oñeha'ãrõ amo ipahápe oreko capacidad de producción anual 60.000 pieza, orekóva 30.000 pieza primera fase-pe. Ko proyecto hembipotápe oime omohenda porãve nivel tecnológico nitruro de galio semiconductor tercera generación ha oipytyvõ Weifang omopu'ãvo altiplano fabricación de gama alta.