CoolSiC™ 2000V의 비밀을 알아보세요
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전기 자동차
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2024-12-19 19:32
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CoolSiC™ MOSFET 2000V는 TO-247PLUS-4-HCC로 패키지된 최초의 2000V 실리콘 카바이드 개별 장치로 연면 거리가 14mm이고 전기 간극이 5.4mm입니다. 낮은 스위칭 손실로 태양 에너지, 에너지 저장 및 전기 자동차 충전에 적합합니다.
