Entdecken Sie die Geheimnisse von CoolSiC™ 2000V

CoolSiC™ MOSFET 2000V ist das erste diskrete 2000-V-Siliziumkarbid-Gerät, verpackt in TO-247PLUS-4-HCC, mit 14 mm Kriechstrecke und 5,4 mm elektrischem Abstand. Geringe Schaltverluste, geeignet für Solarenergie, Energiespeicherung und das Laden von Elektrofahrzeugen.