Découvrez les secrets du CoolSiC™ 2000V

CoolSiC™ MOSFET 2000V est le premier dispositif discret en carbure de silicium 2000V, conditionné en TO-247PLUS-4-HCC, avec une ligne de fuite de 14 mm et un dégagement électrique de 5,4 mm. Faible perte de commutation, adaptée à l'énergie solaire, au stockage d'énergie et à la recharge des véhicules électriques.