Ontdek de geheimen van CoolSiC™ 2000V

CoolSiC™ MOSFET 2000V is het eerste discrete siliciumcarbide-apparaat van 2000 V, verpakt in TO-247PLUS-4-HCC, met een kruipafstand van 14 mm en een elektrische speling van 5,4 mm. Laag schakelverlies, geschikt voor zonne-energie, energieopslag en opladen van elektrische voertuigen.