Scopri i segreti di CoolSiC™ 2000V

CoolSiC™ MOSFET 2000V è il primo dispositivo discreto in carburo di silicio da 2000 V, confezionato in TO-247PLUS-4-HCC, con distanza superficiale di 14 mm e distanza elettrica di 5,4 mm. Bassa perdita di commutazione, adatta per energia solare, stoccaggio di energia e ricarica di veicoli elettrici.