Entdeckt d'Geheimnisser vum CoolSiC™ 2000V
Kuwa Technologie
CoolSiC
Si
ET 200
MOSFET
Si
Cool
Energie
Spill
Apparat
Opluedstatioun
Solar
elektresch
Opluedstatioun
Opluedstatioun
SiC
2024-12-19 19:32
68
CoolSiC™ MOSFET 2000V ass den éischten 2000V Siliziumkarbid diskreten Apparat, verpackt an TO-247PLUS-4-HCC, mat 14mm Kreepdistanz an 5,4mm elektresch Spillraum. Niddereg Schaltverloscht, gëeegent fir Solarenergie, Energielagerung an elektresch Gefier Opluedstatiounen.
