Ανακαλύψτε τα μυστικά του CoolSiC™ 2000V

Το CoolSiC™ MOSFET 2000V είναι η πρώτη διακριτή συσκευή καρβιδίου του πυριτίου 2000V, συσκευασμένη σε TO-247PLUS-4-HCC, με απόσταση ερπυσμού 14 mm και ηλεκτρική απόσταση 5,4 mm. Χαμηλή απώλεια μεταγωγής, κατάλληλη για ηλιακή ενέργεια, αποθήκευση ενέργειας και φόρτιση ηλεκτρικών οχημάτων.