Odkrijte skrivnosti CoolSiC™ 2000V

CoolSiC™ MOSFET 2000V je prva 2000V diskretna naprava iz silicijevega karbida, pakirana v TO-247PLUS-4-HCC, s 14 mm plazilno potjo in 5,4 mm električnim odmikom. Nizka preklopna izguba, primerna za sončno energijo, shranjevanje energije in polnjenje električnih vozil.