Fedezze fel a CoolSiC™ 2000V titkait

A CoolSiC™ MOSFET 2000V az első 2000 V-os szilícium-karbid különálló eszköz, TO-247PLUS-4-HCC-be csomagolva, 14 mm-es kúszótávolsággal és 5,4 mm-es elektromos hézaggal. Alacsony kapcsolási veszteség, alkalmas napenergiára, energiatárolásra és elektromos járművek töltésére.