Khám phá bí mật của CoolSiC™ 2000V

CoolSiC™ MOSFET 2000V là thiết bị rời cacbua silic 2000V đầu tiên, được đóng gói trong TO-247PLUS-4-HCC, với khoảng cách đường rò 14mm và khoảng cách điện 5,4mm. Tổn thất chuyển mạch thấp, thích hợp cho năng lượng mặt trời, lưu trữ năng lượng và sạc xe điện.