Infineon lancia il modulo XHP™ 2 CoolSIC™ MOSFET da 3,3 kV ad alte prestazioni

Il nuovo modulo SiC ad alta tensione da 3,3 kV di Infineon include un modulo su resistenza da 2,0 mΩ con corrente da 1.000 A e un modulo su resistenza da 2,6 mΩ con corrente da 750 A. I moduli sono dotati di MOSFET SiC con diodi body integrati e sono confezionati in un package XHP™ 2 a bassa induttanza che utilizza la tecnologia di interconnessione .XT di Infineon. Dimostrano prestazioni eccellenti nel campo del traino automobilistico.