Infineon lancéiert High-Performance XHP™ 2 CoolSIC™ MOSFET 3.3kV Modul
Si
Inter
MOSFET
Mo
SiC MOS
SiC MOSFET
Si
weisen
Leeschtung
Leeschtung
auto
Héich
Technologie
diode
integréiert
Kierper
SiC
auto
2024-12-19 19:34
60
Infineon's nei lancéiert 3.3kV Héichspannungs SiC Modul enthält en 1000A Stroum, 2.0mΩ On-Resistance Modul an e 750A Stroum, 2.6mΩ On-Resistance Modul. D'Module weisen SiC MOSFETs mat integréierte Kierperdioden a sinn an engem Low-Induktanzen XHP™ 2 Package verpackt mat Infineon's .XT Interconnect Technologie. Si weisen excellent Leeschtung am Beräich vun automobile Ofschleefdéngscht.
