Η Infineon λανσάρει μονάδα υψηλής απόδοσης XHP™ 2 CoolSIC™ MOSFET 3,3 kV

Η νέα μονάδα SiC υψηλής τάσης 3,3 kV της Infineon που κυκλοφόρησε πρόσφατα περιλαμβάνει μια μονάδα ρεύματος 1000A, μονάδα αντίστασης 2,0 mΩ και μια μονάδα αντίστασης ρεύματος 750 A, 2,6 mΩ. Οι μονάδες διαθέτουν MOSFET SiC με ενσωματωμένες διόδους σώματος και συσκευάζονται σε συσκευασία XHP™ 2 χαμηλής επαγωγής που χρησιμοποιεί την τεχνολογία διασύνδεσης .XT της Infineon. Επιδεικνύουν εξαιρετικές επιδόσεις στον τομέα της ρυμούλκησης αυτοκινήτων.