Infineon выпускает высокопроизводительный модуль XHP™ 2 CoolSIC™ MOSFET 3,3 кВ

Недавно выпущенный высоковольтный SiC-модуль Infineon на 3,3 кВ включает в себя модуль с током 1000 А и сопротивлением открытого состояния 2,0 мОм и модуль с током 750 А и сопротивлением открытого состояния 2,6 мОм. Модули оснащены SiC MOSFET-транзисторами со встроенными в корпус диодами и упакованы в корпус XHP™ 2 с низкой индуктивностью с использованием технологии межсоединений .XT компании Infineon. Они демонстрируют отличные показатели в сфере автомобильной буксировки.