Infineon пуска високопроизводителен модул XHP™ 2 CoolSIC™ MOSFET 3.3kV

Наскоро пуснатият 3.3kV високоволтов SiC модул на Infineon включва 1000A ток, 2.0mΩ модул за съпротивление и 750A ток, 2.6mΩ модул за съпротивление. Модулите включват SiC MOSFET с интегрирани диоди в корпуса и са опаковани в XHP™ 2 пакет с ниска индуктивност, използвайки технологията за свързване .XT на Infineon. Те демонстрират отлично представяне в областта на тегленето на автомобили.