Infineon випускає високопродуктивний модуль XHP™ 2 CoolSIC™ MOSFET 3,3 кВ

Нещодавно запущений високовольтний модуль SiC Infineon на 3,3 кВ включає в себе модуль струму 1000 А, 2,0 мОм і модуль опору 750 А, 2,6 мОм. Модулі оснащені SiC MOSFET з інтегрованими корпусними діодами та упаковані в корпус XHP™ 2 з низькою індуктивністю з використанням технології з’єднання .XT від Infineon. Вони демонструють відмінні показники в області буксирування автомобілів.