Infineon melancarkan modul XHP™ 2 CoolSIC™ MOSFET 3.3kV berprestasi tinggi

Modul SiC voltan tinggi 3.3kV Infineon yang baru dilancarkan termasuk modul arus 1000A, modul pada rintangan 2.0mΩ dan modul pada rintangan arus 750A, 2.6mΩ. Modul ini menampilkan SiC MOSFET dengan diod badan bersepadu dan dibungkus dalam pakej XHP™ 2 berkearuhan rendah menggunakan teknologi intersambung .XT Infineon. Mereka menunjukkan prestasi cemerlang dalam bidang tunda automotif.