Infineon movet summus perficientur XHP™ 2 CoolSIC™ MOSFET 3.3kV moduli

Infineon's noviter emissus 3.3kV summus voltage SiC moduli includit 1000A current, 2.0mΩ in resistentia moduli et 750A current, 2.6mΩ in resistentia moduli. Moduli pluma SiC MOSFETs cum corpore integrato diodes et in humili inductione XHP™ 2 involucrum utentes Infineon's .XT technologiae internectunt. Praeclaram actionem in campo autocineto remulco demonstrant.