Infineon omoherakuã módulo XHPTM 2 CoolSICTM MOSFET 3.3kV orekóva rendimiento yvate

Infineon omoñepyrũ pyahúva módulo SiC 3,3kV alta tensión rehegua oguereko peteĩ corriente 1000A, módulo resistencia rehegua 2.0mΩ ha peteĩ módulo corriente 750A, resistencia rehegua 2.6mΩ. Umi módulo oguereko SiC MOSFET orekóva diodo cuerpo integrado ha oñembohyru peteĩ paquete XHPTM 2 inductancia michĩvape ojeporúvo tecnología interconexión .XT Infineon mba’éva. Ohechauka hikuái excelente rendimiento ámbito remolque automotriz-pe.