Infineon bringt neuen CoolSiC™ MOSFET 2000V auf den Markt
Kuwa-Technologie
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Leistung
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Leistungsdichte
Elektrofahrzeuge
Elektrofahrzeuge
2024-12-19 19:37
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Infineon Technologies bringt neuen CoolSiC™ MOSFET 2000 V im TO-247PLUS-4-HCC-Gehäuse auf den Markt, um eine höhere Leistungsdichte zu unterstützen. Geeignet für Solar-, Energiespeichersysteme und Ladeanwendungen für Elektrofahrzeuge. Mit geringen Schaltverlusten, hoher Zwischenkreisspannung und robusten Gehäusedioden steht bald ein 2000-V-Diodenportfolio auf dem Markt.
