Infineon lance le nouveau CoolSiC™ MOSFET 2000V

Infineon Technologies lance le nouveau CoolSiC™ MOSFET 2000V en boîtier TO-247PLUS-4-HCC pour prendre en charge une densité de puissance plus élevée. Convient aux systèmes solaires, de stockage d'énergie et aux applications de recharge de véhicules électriques. Dotée de faibles pertes de commutation, d'une tension de liaison CC élevée et de diodes à corps robuste, une gamme de diodes 2 000 V sera bientôt lancée.