Infineon lança novo CoolSiC™ MOSFET 2000V

A Infineon Technologies lança o novo CoolSiC™ MOSFET 2000V no pacote TO-247PLUS-4-HCC para suportar maior densidade de potência. Adequado para sistemas solares, de armazenamento de energia e aplicações de carregamento de veículos elétricos. Apresentando baixas perdas de comutação, alta tensão de link CC e diodos de corpo robusto, um portfólio de diodos de 2.000 V será lançado em breve.