Infineon lancia il nuovo MOSFET CoolSiC™ 2000V

Infineon Technologies lancia il nuovo MOSFET CoolSiC™ da 2000 V nel package TO-247PLUS-4-HCC per supportare una maggiore densità di potenza. Adatto per sistemi solari, di accumulo di energia e applicazioni di ricarica di veicoli elettrici. Caratterizzato da basse perdite di commutazione, elevata tensione del collegamento CC e diodi con corpo robusto, sarà presto lanciato un portafoglio di diodi da 2000 V.