Infineon wprowadza na rynek nowy tranzystor MOSFET CoolSiC™ 2000 V

Infineon Technologies wprowadza na rynek nowy układ MOSFET CoolSiC™ 2000 V w obudowie TO-247PLUS-4-HCC, zapewniający wyższą gęstość mocy. Nadaje się do zastosowań związanych z energią słoneczną, magazynowaniem energii i ładowaniem pojazdów elektrycznych. Oferująca niskie straty przełączania, wysokie napięcie łącza prądu stałego i wytrzymałe diody korpusowe, wkrótce na rynku pojawi się oferta diod 2000 V.