英飛凌發表新一代CoolSiC™ MOSFET G2技術
賓士EQE SUV
英飛凌
能
例如
第二代
科技
快充
功率
溝槽柵
太陽能
損耗
效率
應用
電動車
充電
電動車
2024-12-19 19:38
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英飛凌科技推出第二代CoolSiC™ MOSFET溝槽柵技術,提升功率系統效率。該技術應用於電動車、太陽能等領域,有效降低能耗,提升性能。例如,電動車快充站可降低10%功率損耗,提高充電效率。
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