Infineon lanserar ny generation CoolSiC™ MOSFET G2-teknologi

6
Infineon Technologies lanserar andra generationens CoolSiC™ MOSFET trench gate-teknik för att förbättra kraftsystemets effektivitet. Denna teknik används inom elfordon, solenergi och andra områden för att effektivt minska energiförbrukningen och förbättra prestandan. Till exempel kan snabbladdningsstationer för elfordon minska strömförlusten med 10 % och förbättra laddningseffektiviteten.