Infineon lancéiert nei Generatioun CoolSiC ™ MOSFET G2 Technologie
Kuwa Technologie
CoolSiC
Si
MOSFET
Si
Cool
Energie
Gate
Verloscht
Technologie
Muecht
Trench Gate
Opluedstatioun
Solar
Verloscht
elektresch
Opluedstatioun
Opluedstatioun
SiC
Effizienz
Feld
2024-12-19 19:38
6
Infineon Technologies lancéiert zweet Generatioun CoolSiC ™ MOSFET Trench Gate Technologie fir d'Effizienz vun der Energiesystem ze verbesseren. Dës Technologie gëtt an elektresche Gefierer, Solarenergie an aner Felder benotzt fir effektiv Energieverbrauch ze reduzéieren an d'Performance ze verbesseren. Zum Beispill, elektresch Gefier séier Opluedstatiounen kënnen Muecht Verloscht vun 10% reduzéieren an Opluedstatiounen Effizienz verbesseren.
