Infineon представляет технологию CoolSiC™ MOSFET G2 нового поколения

Infineon Technologies представляет технологию траншейных затворов MOSFET второго поколения CoolSiC™ для повышения эффективности энергосистемы. Эта технология используется в электромобилях, солнечной энергетике и других областях для эффективного снижения энергопотребления и повышения производительности. Например, станции быстрой зарядки электромобилей могут снизить потери мощности на 10% и повысить эффективность зарядки.