Infineon пуска ново поколение CoolSiC™ MOSFET G2 технология

Infineon Technologies пуска второ поколение технология CoolSiC™ MOSFET trench gate за подобряване на ефективността на енергийната система. Тази технология се използва в електрически превозни средства, слънчева енергия и други области за ефективно намаляване на потреблението на енергия и подобряване на производителността. Например станциите за бързо зареждане на електрически превозни средства могат да намалят загубата на мощност с 10% и да подобрят ефективността на зареждането.